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神谷 富裕; 湯藤 秀典; 田中 隆一
第5回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.116 - 119, 1992/07
宇宙用半導体素子のシングルイベント効果の機構解明及びヒット部位依存性評価のため製作された重イオンマイクロビーム装置は、マイクロビーム集束、ビーム照準及びシングルイオンヒットが可能なように設計されている。本装置の制御は、精密レンズ、ビームシフター、ファラデーカップ及びスリット等のビームライン機器の制御と、ビームスキャナー、2次電子検出器及びターゲットステージ等のターゲットシステムの制御に分けられ、それぞれ計算機を介して遠隔で行われる。このシステムを用いてビームサイズ計測やビーム照準が行われ、これまでに15MeVのNi
ビームで0.7
1.1
m
のスポットサイズが確認された。なお、シングルイオン検出器のオフラインでの調整が現在進められており、今後ターゲットシステムに組み込まれる予定である。
神谷 富裕; 湯藤 秀典*; 田中 隆一
第3回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム, p.453 - 456, 1992/00
宇宙用半導体素子におけるシングルイベント効果の基礎的な機構を解明するための重イオンマイクロビーム装置が開発された。本装置は高エネルギーの多種のイオンと1m以下に集束し、試料に1m程度の位置精度でビーム照準を行い、そこに単一イオンを打込むシングルイオンヒットを可能とするよう設計された。我々すでに15MeVNiイオンビームで1nのビームサイズを達成しており、現在ビーム照準とシングルイオンヒットの技術開発を進めている。
森田 洋右
放射線と産業, (52), p.40 - 42, 1991/12
人工衛生等の宇宙で使用される半導体素子の耐放射線性の研究の概要について解説した。まず、地球周辺の宇宙の放射線環境について述べ、微細な半導体素子に重イオンが入射した時の現状について述べた。また、タンデム加速器のマイクロビームを使用する半導体素子のエラー発生のマッピングの研究についても説明した。